其实MOS管一个 ESD 敏感器件，它本身的输入 电阻 很高，而栅-源极间 电容 又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击...

硅通孔(Through Si Vias，TSV)硅转接基板技术作为先进封装的一种工艺方式，是实现千级IO 芯片 高密度组装的有效途径，近年来在系统集成领域得到快速应用。TSV硅转接基板的细线条和与芯...

  近日，德国碳化硅大厂—— 英飞凌 透露，他们正在考虑去美国建工厂。而此前，另一家德国碳化硅企业—— 博世 也宣布去美国生产碳化硅（.点这里.）。 2家德国巨头的举措绝非巧...

IGBT 模块可靠性 ——青岛佳恩 半导体 有限公司 —— 随着风力发电、 智能电网 建设、电力汽车、 高压 变频器 等新兴应用的崛起，大功率 IGBT 模块的应用越来越多。而与之相应的是...

半导体 产业网获悉：近日， 电子 科技 大学功率集成技术实验室罗小蓉团队在氧化镓器件的续流能力方提出一种具有低反向导通损耗的氧化镓纵向FinFET，并以“Low Reverse Conduc ti on Loss...

SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间...

在全球最大的 电力电子 展 PCIM Europe 2023 上，旨在以类似硅的成本实现垂直 GaN（ 氮化镓 ）功率晶体管的欧洲财团 YESvGaN 介绍了其方案。 近年来，SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等宽带隙...

1.电压击穿(过压） 对普通 整流二极管 来讲，只要应用电路中存在电网波动、同网中的大功率设备开启关断、雷击、开关火花、大容量的感性负载、大容量的容性负载这些情况下，瞬间...

在 无线通信 系统中 射频 前端是核心组件，连接 通信 收发器 和 天线 的必经之路。射频前端主要包括 功率放大器 （PA）、天线开关（Switch）、 滤波器 （Fil te r）、双工器（Duplexer和...

单光子雪崩 二极管 以其极高的光子灵敏度以及超快的响应时间在各领域被广泛应用。随着 半导体 技术的发展，集成多个像素以及时间测量电路的单光子雪崩二极管阵列逐渐普及。成像...