碳化硅（SiC）是比较新的 半导体 材料。一开始，我们先来了解一下它的物理特性和特征。 SiC的物理特性和特征 SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、...

放大器 是一种 电子 设备，它可以将输入 信号 放大，以增加其幅度、功率或 电流 ，同时不改变 山中信号的波形。放大器是现代电子学的核心组件之一，被广泛应用于电视、收音机、...

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面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是 二极管 、特别是高速型二极管的基本且重要的 参数 ，所以不仅要比较trr的数值，还要理...

继SiC功率 元器件 的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒 二极管 开始。 SiC 肖特基 势垒二极管和Si肖特基势垒二极管 下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“...

前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开...

隔离放大器 是一种特殊的测量放大电路，其输入、输出和 电源电路 之间没有直接电路耦合，即 信号 在传输过程中没有公共的接地端。输入电路和 放大器 输出之间有欧姆隔离的器件。...

前面对SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性进行了比较。下面对 二极管 最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。 SiC-SBD和Si-PND正向电压特性的区别 二极管的正向电压VF无限接近零、对温...

为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si 二极管 为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代 产品 的，所以在此汇总一下...

高压 放大器 有辐射吗 一般来说，高压放大器不会产生辐射，但是如果放大器中使用了 射频 技术，则可能会产生辐射。 高压放大器目前已经是生物、医疗、 电子 、物理、化学等行业...