作者：Bob Clarke, Paul Hendriks, and Steve Ruscak 正交幅度调制 （QAM） 和正交相移键控 （QPSK） 系统比比皆是。在正交方案中，两个独立的 信号 （“同相”和“正交”）通过单个载波传输，利...

由 运算放大器 和外部增益设置电阻组装而成的分立 差动放大器 在整个温度范围内表现出平庸的精度和显著的漂移。使用标准的1%100 ppm/°C电阻时，高达2%的初始增益误差变化可达200 p...

模电 书上说：对于放大电路的要求，除了要得到所需要的放大倍数之外，还要求输出波形不失真; 输出波形是否失真，与静态工作点密切相关。 本文将讨论如何处理放大电路输出波形出...

作者：Matthew “Rusty” Juszkiewicz 许多应用要求在存在大共 模电 压（有些高达几百伏）的情况下进行差分测量。在这些电压下进行精密测量可能非常困难且昂贵。但是， AD 8479能够轻松做...

作者：Rob Reeder and Jim Caserta 在高性能 模数转换器 （ ADC ）之前设计输入配置或“前端”对于实现所需的系统性能至关重要。优化整体设计取决于许多因素，包括应用的性质、系统分区和...

第三代 半导体 具有较高的热导率、 电子 饱和率、击穿电场、带隙宽度、抗辐射能力等，适用于制造高温、高频、高功率、抗辐射器件，可用于卫星、汽车、雷达、 工业 、 电源管理...

随着硅接近其物理极限， 电子 制造商正在转向非常规 半导体 材料，特别是宽带隙（WBG）半导体，如碳化硅（SiC）和 氮化镓 （GaN）。由于宽带隙材料具有相对较宽的带隙（与常用的硅...

随着碳化硅（SiC）和 氮化镓 （GaN）等新材料在 二极管 、场效应 晶体管 （ MOSFET ）和其他元件中的不断应用， 电力电子 行业的技术革命已经开始。这些新组件仍然比传统硅组件昂贵得...

igbt 驱动电路 图 典型的IGBT驱动电路 如图为典型的IGBT驱动电路图。电路以混合IC?EXB840驱动模块和外围元器件组成。驱动 信号 输入接SPWM 控制电路 输出端。过流信号输出端接SPWM控制电路...

MOSFET 什么意思 mosfet是金属氧化物 半导体 场效应 晶体管 。mosfet是一种可以广泛使用在 模拟 电路与 数字电路 的场效晶体管，依照其通道（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与...