0、小叙闲言 前面已经写了两篇介绍 放大器 应用和 MOSFET 作驱动的文章。但是对它们的 工作原理 并没有进一步研究一下，今天写下这篇文章，主要是介绍 二极管 的工作原理，为后面的...

发光 二极管 耐压多少 小功率的发光二极管正常工作 电流 在10～30mA范围内。通常正向压降值在1.5～3V范围内。发光二极管的反向耐压一般在6V左右。 发光二极管的反向耐压（即反向击穿...

1. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒 二极管 ）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二...

1. SiC模块的特征 大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的 IGBT 和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC- MOSFET 和SiC-SBD的功率模块。 由IGBT的尾 电流 和FRD的恢复电流...

发光 二极管 串多大电阻接入220V 发光二极管接220v用14.5干欧，当然这是理想值，算上电网波动，串的电阻最好在15至16千欧之间，而一系列电阻一起是最好的，如果把一个电阻分成220V压...

ADC 架构——SAR型 SAR型 AD C，又叫逐渐逼近型ADC，属于瞬死值转换型-转换对象是 模拟 信号 在采样时刻或前几个时刻抽样值，即时输出结果。 顾名思义，就是每个采集都是一位一位的确...

IGBT 是干嘛的 IGBT中文翻译为：绝缘栅双极型 晶体管 。是一种复合全控型电压驱动式功率 半导体 器件，由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成，兼具了这二者的优点：高输入阻抗和...

SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物 半导体 材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认...

0、小叙闲言 有一个两相四线的 步进电机 ，需测量其A、B两相的 电流 大小， 电机 线圈的电阻为0.6Ω，电感为2.2mH。 打算在A、B相各串接一个0.1Ω的采样电阻，然后通过放大电路，送到...

本应用笔记介绍了将32，768Hz晶体连接到 实时时钟 （RTC）的晶体选择和布局技术。它还提供有关 振荡器 电路设计 标准、系统设计和制造问题的信息。 振荡器基础知识 Maxim RTC中使用的...