功率GaN技术已证明可为 电源 转换带来出色的效率。但对于汽车应用这样的市场，解决方案还需要出色的耐用性，才能确保高质量和可靠性。我们必须证明， Nexperia 的GaN技术不但可以在...

在之前的文章中，我们大多讲的都是在windows 操作系统 下的应用案例，因为大多人使用的是windows系统，也熟悉如何操作。而在实际应用中，有不少客户的 电脑 系统是 linux 系统，那么在...

前 言 目前，在实现“绿色能源”的新技术革命中，众多高频 开关电源 已经开始实现高功率因数校正技术（特别是在 通信 电源 中），其中采用有源功率因数校正的居多。连续导电模式...

SiC- MOSFET SiC-MOSFET 是碳化硅 电力电子 器件研究中最受关注的器件。在Si材料已经接近理论性能极限的今天，SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性，一直被视为“理想器件”而...

在上一篇文章中，简单介绍了SiC功率元器件中栅极-源极电压中产生的浪涌。从本文开始，将介绍针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的对策。本文先介绍浪涌抑制电路。 关于SiC功率元器...

1 ADC 介绍 随着 集成电路 技术的快速发展以及工艺制程的不断进步， 数字电路 处理信息的能力愈发强大。 数字 信号 由0和1高低电平组成，易于存储，噪声容限低且抗干扰能力强，在数...

只要是地，最终都要接到一起，然后入大地。如果不接在一起就是“浮地”，存在压差，容易积累电荷，造成静电。地是参考0电位，所有电压都是参考地得出的，地的标准要一致，故各...

ROHM不仅提供 电机驱动器 IC，还提供适用于 电机 驱动的非隔离型栅极驱动器，以及分立功率器件 IGBT 和功率 MOSFET 。 我们将先介绍 罗姆 非隔离型栅极驱动器，在介绍ROHM超级结MOSFET P...

上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。 低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作 下面是表示LS MOSFET 关断时的 电流 动作...

上一篇文章中，简单介绍了SiC MOSFET 桥式结构中栅极 驱动电路 的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的 电流 和电压情况。本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况。 SiC MOSFET低边开...