目前，世界上已成功开发出多种碳化硅器件。碳化硅SBD作为一种零恢复 二极管 ，极大地改善了高频 电源 电路。碳化硅二极管独特的高温特性使其在高温环境下的电源应用中具有潜在优...

在之前的文章中，我们大多讲的都是在windows 操作系统 下的应用案例，因为大多人使用的是windows系统，也熟悉如何操作。而在实际应用中，有不少客户的 电脑 系统是 linux 系统，那么在...

前 言 目前，在实现“绿色能源”的新技术革命中，众多高频 开关电源 已经开始实现高功率因数校正技术（特别是在 通信 电源 中），其中采用有源功率因数校正的居多。连续导电模式...

SiC- MOSFET SiC-MOSFET 是碳化硅 电力电子 器件研究中最受关注的器件。在Si材料已经接近理论性能极限的今天，SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性，一直被视为“理想器件”而...

在上一篇文章中，简单介绍了SiC功率元器件中栅极-源极电压中产生的浪涌。从本文开始，将介绍针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的对策。本文先介绍浪涌抑制电路。 关于SiC功率元器...

1 ADC 介绍 随着 集成电路 技术的快速发展以及工艺制程的不断进步， 数字电路 处理信息的能力愈发强大。 数字 信号 由0和1高低电平组成，易于存储，噪声容限低且抗干扰能力强，在数...

只要是地，最终都要接到一起，然后入大地。如果不接在一起就是“浮地”，存在压差，容易积累电荷，造成静电。地是参考0电位，所有电压都是参考地得出的，地的标准要一致，故各...

ROHM不仅提供 电机驱动器 IC，还提供适用于 电机 驱动的非隔离型栅极驱动器，以及分立功率器件 IGBT 和功率 MOSFET 。 我们将先介绍 罗姆 非隔离型栅极驱动器，在介绍ROHM超级结MOSFET P...

上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。 低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作 下面是表示LS MOSFET 关断时的 电流 动作...

上一篇文章中，简单介绍了SiC MOSFET 桥式结构中栅极 驱动电路 的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的 电流 和电压情况。本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况。 SiC MOSFET低边开...