1.在过去几年中， 氮化镓 （GaN）在 半导体 技术中显示出巨大的潜力，适用于各种高功率应用。与硅基半导体器件相比，氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙（WBG）半导体，具有快...

为了适应业界对节省空间、提高功率密度和 电流 处理能力的需要， Nexperia 大大改进了 最新 的铜夹封装。 LFPAK88结合了低RDSon和高ID，将功率密度基准设定为1 W / mm3以上。   一直以来，...

Nexperia 的LFPAK88不使用内部焊线，减小了源极引脚长度，从而最大程度地减少在开关过程中产生的寄生源极电感，以此提高效率。 无引脚(QFN)封装或开尔文源极连接等备选方案也具有类似...

我们都习惯于将RDS(on)和Qg的乘积视为 MOSFET 的品质因数。但是，由于现在的栅极驱动器能够有效地满足较大的Qg需求，而且开关频率更快，可以创建更小、更高效的系统，因此一些经常被...

上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si- MOSFET 、 IGBT 、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）的概要。本篇将以ROHM的产品阵容及其...

从本篇开始，介绍近年来 MOSFET 中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。 功率晶体管的特征与定位 首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、 IGBT 、SiC-MOSFET的功率与频率范围。因为接下来...

我在“功率 MOSFET – 48V系统中的重要组件 ”中简单介绍了功率MOSFET的功能以及它们如何适用于汽车应用，例如48伏起动发电机的 电机控制 。 在本系列的最后一章中，我将讲解最新MOS...

ROHM面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的 工业 设备用 电源 的逆变器和转换器，开发出实现行业领先*可靠性的、额定值保证1700V/250A的全SiC功率模块“BSM250D17P2E004”。...

本篇开始将为大家介绍“Si 晶体管 ”。虽然统称为“Si晶体管”，不过根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“ MOSFET ”等种类。另外，还可根据处理的 电流 、电压和应用进行分类...

ROHM最近面向 AD AS（高级驾驶辅助系统）的 传感器 、摄像头及雷达等要求小型化、节能化和高可靠性的汽车安全驾驶辅助模块，开发出二次降压 DC/DC 转换器“BD9S系列”。 “BD9S系列”是...