在SiC MOSFET 的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。 虽然...

SiC功率 MOSFET 内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构，如图1所示。这种结构的特点是工艺简单，单元的一致性较好，雪崩能量比较高。但是，这种...

通过与Si功率元器件的比较，来表示碳化硅 MOSFET 的耐压范围。目前碳化硅MOSFET有用的范围是耐压600V以上、特别是1kV以上。关于优势，现将1kV以上的产品与当前主流的硅 IGBT 来比较一下...

mos场效应管焊接方法 mos管焊接的方法步骤如下： 1、焊接前，认清mos场效应管的三个引脚，电烙铁的外表要可靠的接地。 2、先用烙铁固定G.S极，然后从D极加点锡，让电烙铁发热，再拔...

MOS管的N沟道与P沟道之间的关系 纯 半导体 的导电性能很差，但是可以通过加入一些特殊的杂质增强其导电能力。N型 MOSFET 会引入额外可移动的负电荷（ 电子 ），此时为N型（N沟道）参...

场效应管的三个极图解 场效应管的三个极相当于三级管的三个电极，G是控制极，相当于三级管的B极，电压控制DS的导通率（三极管是 电流 控制型，B极控制CE的导通能力）D级是漏极，...

晶体管 的三个极是什么 晶体管是一种 电子 器件，它有三个电极：基极、集电极和发射极。 基极是晶体管的输入端，也称为“正向基极”，是一个 半导体 金属片，通常是一个镀锡或镀...

二极管 降压的原理是什么 二极管降压的原理是利用二极管的反向压降特性，将输入电压降低到较低的输出电压。当输入电压大于输出电压时，二极管就会导通，从而将输入电压降低到...

场效应管制作触摸开关 1 材料：一个260Ω电阻、LED贴片灯、DG2N60场效应管。 2 工具：电烙铁、热熔胶枪、镊子。 3 电路图。 4 这是一个DG2N60 MOS场效应管，三个引脚从左到右是G（栅极）...

齐纳 二极管 的电路符号 齐纳二极管的封装方式有很多种。一些用于高功率耗散，而另一些则包含在表面贴装格式中。最常见的齐纳二极管类型包含在一个小的玻璃封装中，它的一端有...