作者：Roger Zemke 和 Hassan Malik LTC®1450 和 LTC1450L 是完整的单电源轨至轨电压输出、12 位 DAC ，采用 24 引脚 SSOP 和 PDIP 封装。它们包括一个输出缓冲 放大器 、一个基准和一个双缓冲并行数...

Mark Thoren LTC2450是一款采用2mm x 2mm DFN封装的16位、单端输入、ΔΣ ADC ,不过，千万不要因为这款器件外形尺寸小和成本低就小瞧它。LTC2450拥有引人注目的 DC 规格，包括2LSB INL、2LSB偏移和一...

一、图解法 1.静态工作点分析 ①输入特性曲线静态工作点位置 当Δui=0时，静态工作点在 晶体管 的输入回路上所以有 在输入特性曲线中画出上式所表达的函数 ⅰ当UBE为零时，ib=VBB/Rb，...

一、耗尽型MOS管结构 1.N沟道耗尽型MOS管结构 ①以低掺杂的P型硅片为衬底 ②利用扩散工艺制作两个高掺杂的N+区，并引出两个电极，分别为源极s，漏极d ③在 半导体 上制作一层SiO2绝缘...

一、场效应管分类 1.两类电场效应 场效应管：场效应 晶体管 ①PN结耗尽层宽度随反向电压变化的场效应 在PN结施加反向电压，耗尽层会逐渐变宽，通过改变耗尽层宽度来对导电通道进...

一、共射放大电路 1.基本共射放大电路 输入回路与输出回路均以发射极为公共端，所以称为共射放大电路。 ①当ui=0时，称放大电路处于静态。 ⅰ:在输入回路中，基极 电源 VBB使 晶体...

一、增强型MOS管结构 1.增强型MOS管结构 ①以低掺杂的P型硅片为衬底。 ②利用扩散工艺制作成两个高掺杂的N+区，并引出两个电极，分别为源极s和漏极d。 ③在 半导体 上制作一层SiO2绝...

一. 晶闸管 1.晶闸管正常工作时特性总结： I： 当承受反向电压时，无论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通 II： 当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流时，晶闸管才会导...

工信部等八部门印发《组织开展公共领域车辆全面电动化先行区试点工作通知》，提出新增公共充电桩（标准桩）与公共领域 新能源 汽车推广数量（标准车）比例力争达到 1：1，高速...

碳化硅 （SiC） 宽禁带 半导体 材料是目前 电力电子 领域发展最快的半导体材料之一。绝缘栅双极 晶体管 （ IGBT ） 是全控型的复合器件，具有工作频率高、开关损耗低、 电流 密度大...