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[电工基础] AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件直流特性日期：2023-05-28 11:27:48 点击：61 好评：0
1. 栅漏电分析关态漏电是制约HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用绝缘栅HEMT器件结构可以有效减小器件关态漏电。图1给出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三种器件结构的关态栅漏电曲线，...
[电工基础] 4英寸半绝缘自支撑氮化镓晶圆片量产日期：2023-05-28 11:27:48 点击：67 好评：0
由于同质外延结构带来的晶格匹配和热匹配，自支撑氮化镓衬底在提升氮化镓基器件性能方面有着巨大潜力，如发光二极管，激光二极管，功率器件和射频器件等。相比异质衬底外...
[电工基础] 用1枚MOSFET进行PWM驱动时的电机电流和再生电流日期：2023-05-28 11:27:46 点击：38 好评：0
本文将探讨使用1枚 MOSFET 对有刷直流电机进行PWM驱动时的电机电流和再生电流。有多种方法可以实现电机的PWM驱动，其中包括通过在电机和接地间插入MOSFET来实现开关的简单方法。使...
[电工基础] 降压型DCDC转换器IC评估板“BD9G500EFJ-EVK-001”测评日期：2023-05-28 11:27:46 点击：38 好评：0
※文章转载自电子产品世界，作者为mamneng 大家好，我是mamneng，非常幸运通过罗姆和电子产品世界的筛选拿到评估板。在开始正文内容之前，请允许我先介绍一下罗姆集团。罗姆...
[电工基础] 降压型DCDC转换器IC评估板“BD9G500EFJ-EVK-001”测评日期：2023-05-28 11:27:46 点击：46 好评：0
※文章转载自电子产品世界，作者为mamneng 大家好，我是mamneng，非常幸运通过罗姆和电子产品世界的筛选拿到评估板。上一期，为大家带来了BD9G500EFJ-EVK-001的开箱。这期，将为大家...
[电工基础] AlN钝化器件电流崩塌分析日期：2023-05-28 11:27:44 点击：41 好评：0
电流崩塌和关态栅漏电一样，是制约GaN基HEMT器件发展的非常重要的因素之一，一方面表现为，在脉冲测试条件下漏极输出电流与直流特性相比大幅减小；另一方面表现为，在微波大功...
[电工基础] AlN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件制作日期：2023-05-28 11:27:44 点击：41 好评：0
1.器件结构与工艺绝缘栅和肖特基栅HEMT器件结构如图1所示， AlGaN/GaN异质结采用MOCVD技术在2英寸c面蓝宝石衬底上外延得到，由下往上依次为180nm高温AlN成核层、13μm非掺杂GaN缓冲层、1...
[电工基础] MOS管的米勒效应：如何减小米勒平台日期：2023-05-28 11:27:44 点击：148 好评：0
从多个维度分析了米勒效应，针对Cgd的影响也做了定量的推导，今天我们再和大家一起，结合米勒效应的仿真，探讨下如何减小米勒平台。搭建仿真为了验证MOS管的米勒效应，我们简...
[电工基础] 具快速瞬态响应和超低EMI辐射的单片式65V、8A降压日期：2023-05-28 11:27:41 点击：34 好评：0
Ying Cheng LT8645S 和 LT8646S 是65 V同步降压型单片式稳压器，支持8 A输出。它们的Silent Switcher® 2架构可实现优异的EMI性能，这与电路板布局无关。LT8646S具有RC外部补偿功能电路，以优化瞬态...
[电工基础] 采用LTM8055来构建紧凑和高性能转换器日期：2023-05-28 11:27:41 点击：44 好评：0
Andy Radosevich LTM8055 是一款具 5V 至 36V 输入范围的降压-升压型 μModule® 稳压器，其可容易地通过并联以扩展负载电流能力。该器件的四开关降压-升压型拓扑具有高效率，同时允许输入电...