本章将介绍 最新 的第三代SiC- MOSFET ，以及可供应的SiC-MOSFET的相关 信息 。 独有的双沟槽结构SiC-MOSFET 在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。...

本章将对SiC- MOSFET 的体 二极管 的正向特性与反向恢复特性进行说明。 如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET的结构上讲，体二极管是由源极-漏极间...

继SiC概要、SiC-SBD（ 肖特基 势垒 二极管 ）、SiC- MOSFET 之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC 功率模块 ”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的 产品 ，都有哪...

本文就SiC- MOSFET 的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET 产品 相关的 信息 和数据。 ROHM SiC-MOSFET的可靠性 栅极氧化膜 ROHM针对SiC上形成的栅极氧化膜，通过工艺开发和 元器...

本章将介绍部分SiC- MOSFET 的应用实例。其中也包括一些以前的 信息 和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。 SiC-MOSFET应用实...

无源 滤波器 由什么组成 无源滤波器又称LC滤波器，是利用电感、 电容 和 电阻 的组合设计构成的滤波电路，可滤除某一次或多次谐波，最普通易于采用的无源滤波器结构是将电感与电...

随着 电力电子 技术正向着轻型化、微型化、 智能 化、节能化发展，各种 控制电路 和不间断 电源 、 开关电源 的应用不断扩大。做为直接影响这些 电路设计 合理性和运行可靠性的高...

全SiC 功率模块 与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。 全SiC功率模块的开关损耗 全...

一、判断三极管的工作状态 1. 正偏与反偏的概念 晶体管 分P区和N区， 当P区电压大于N区电压时是正偏，反之就是反偏。 2. 工作状态的简单判断 引脚 放大 饱和 截止 发射结 正偏 正偏...

一、三极管的伏安特性曲线 1. 三极管的伏安特性曲线 三极管是一种常用的 电子 元件，其伏安特性曲线描述了三极管在不同电压和 电流 条件下的电性能。 三极管的伏安特性曲线通常分...