电工基础知识

电工基础知识_电工技术-电工最常见电路

  • [电工基础] 关于mos管基础知识介绍 日期:2023-08-03 09:22:43 点击:34 好评:0

    1 三个极的判定 G极(gate)—栅极,不用说比较好认  S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是  D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边 2 N沟道与...

  • [电工基础] 碳化硅规模化应用的技术难点 日期:2023-08-03 09:22:43 点击:34 好评:0

    碳化硅,化学式为SiC,是由碳元素和硅元素组成的一种化合物 半导体 材料,是制作高温、高频、大功率、 高压 器件的理想材料之一。碳化硅器件是指以碳化硅为原材料制成的器件,按...

  • [电工基础] 模拟技术知识:电容的35个基本常识 日期:2023-08-03 09:22:43 点击:36 好评:0

    电压源正负端接了一个 电容 ,与电路并联,用于整流电路时,具有很好的滤波作用,当电压交变时,由于电容的充电作用,两端的电压不能突变,就保证了电压的平稳。 当用于电池电...

  • [电工基础] LTC7001 N沟道MOSFET栅极驱动器参数介绍 日期:2023-08-03 09:22:41 点击:44 好评:0

    LTC7001 是一款快速、 高压 侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动 器,选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵,因此使其可以无限期地坚持导...

  • [电工基础] 碳化硅衬底市场群雄逐鹿 碳化硅衬底制备环节流 日期:2023-08-03 09:22:40 点击:41 好评:0

    碳化硅性能优异, 衬底为最核心环节:碳化硅材料性能突破硅基极限, 相较于传统硅基器件,碳化硅功率器件的功率密度、开关效率和器件损耗上都有大幅度优化。碳化硅 产品 生产流...

  • [电工基础] 浅谈国产化IGBT的未来前景 日期:2023-08-03 09:22:39 点击:39 好评:0

    半导体 景气下行,晶片业普遍面临客户砍单与报价修正压力之际,有「 电力电子 中央 处理器 ( CPU )」之誉的绝缘闸极双极性 晶体管 ( IGBT )在电动车与太阳能两大主流应用需求大...

  • [电工基础] MOS管的概念、结构及原理 日期:2023-08-03 09:22:38 点击:44 好评:0

    1、什么是MOS管 MOS管也就是常说的 MOSFET 。 MOSFET全称是:Metal Oxide Sem ic onduct or Field Effect Transistor即,金属氧化物 半导体 场效应 晶体管 。 MOS可以分为两种:耗尽型和增强型。 1)耗尽型...

  • [电工基础] 共基极放大电路的设计与实现(一) 日期:2023-08-03 09:22:37 点击:44 好评:0

    电路简介: 共基极放大电路,输入 信号 是由三极管的发射极与基极两端输入的,由集电极与基极两端输出信号,因为基极是输入、输出交流信号的公共端(一般是接地,也有可能接电...

  • [电工基础] 浅谈纳米氮化镓的合成制备方法 日期:2023-08-03 09:22:37 点击:42 好评:0

    氮化镓 作为第三代 半导体 的代表,具有优越的电学性能,它在 光电 子器件如:蓝光、紫外、紫光等光发射 二极管 和激光二极管方面有着重要的应用.。氮化镓的合成制备,对全球半...

  • [电工基础] 共基极放大电路的设计与实现(二) 日期:2023-08-03 09:22:34 点击:37 好评:0

    电路图: 共基极放大电路 共基极放大电路直流通路 参数计算: 三极管为S9013 NPN型三极管,Vcc=5V,Rb1、Rb2为B极静态偏置 电阻 。 静态 Ic 可设计为一较小值,本实验中1mA,Ic=1mA。 为避免...

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