变频技术在日本家用电器中应用(3)
时间:2016-06-05 14:50 来源:未知 作者:y930712 点击:次
PAM控制型逆变器采用绝缘栅极晶体管IGBT代替场效应管MOSFET,还可以进一步降低损耗。以电动机功率2kW,直流电压300V,开关频率25kHz的逆变器为例,采用IGBT代替MOSFET,导通阻抗损耗从60W变为18W,导通损耗从10W变为18W,关断损耗从5W变为22W,快速二极管FRD损耗都为5W,合计:采用MOSTET总损耗90W,采用IGBT总损耗73W。 (责任编辑:admin) |
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