电工基础知识_电工技术-电工最常见电路移动版

当IGBT的栅极加正向电压时，栅极与n+型集电区之间形成一个电子通道，当通道中的电子注入p型基区时，p型基区会形成一个高导电性的电子区。此时，即使栅极的电压降为零，p型基区中的电子仍能维持整个器件的导电状态，因此，IGBT的导通状态可以持续很长一段时间。
当IGBT的栅极加负向电压时，栅极与n+型集电区之间的电子通道被截断，此时只有极少数的载流子注入p型基区，整个器件的导通状态被中断，进入截止状态。
IGBT在开关过程中，具有MOSFET输入电阻低的特点，使得器件的驱动电路设计更加简单，同时又能输出较大的电流，具有很强的承载能力。因此，IGBT广泛应用于高电压、大电流、高速开关的场合，如电动汽车、变频器、电源、UPS等。
MOS管和IGBT的区别
MOS管和IGBT都是常用的功率半导体器件，它们有以下几个区别：
结构不同：MOS管是一种场效应管，由栅极、漏极和源极组成，栅极和漏极之间是一个p型或n型沟道。而IGBT是由一个n型沟道和一个pnp结构组成，它由一个门极、一个集电极和一个发射极组成，其中集电极和发射极之间是一个n型沟道。
工作原理不同：MOS管的栅极电压控制通道电阻，从而控制漏极电流;而IGBT的控制极(门极)控制n型沟道的导电性质，从而控制集电极和发射极之间的导通电阻，从而控制集电极电流。 (责任编辑：admin)