双极性晶体管(英语：bipolar transistor)，全称双极性结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT)，俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件，由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。
双极性晶体管，它有两个PN结构成，引出三个电极，所以有NPN和PNP两种管子。
三个电极分别从导电区引出，称为发射极、基极和集电极，所对应的区分别称为发射区、基区和集电区。
其中，发射区的掺杂浓度很高，用于发射载流子，集电区掺杂较低，但体积比较大，用于收集载流子，基区最薄，且掺杂浓度最低，用于控制载流子。
双极型晶体管的结构
由两个背靠背的PN节构成，两种载流子参与导电----双极型结型晶体管。
两种类型：
结构特点： 发射区(e区)掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区， 且面积大； 基区很薄， 一般在几微米到几十微米，且掺杂浓度最低。
双极性晶体管的工作原理
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结(称这个PN结为“发射结”)处于正向偏置状态，而基极-集电极(称这个PN结为“集电结”)则处于反向偏置状态。在没有外加电压时，发射结N区的电子(这一区域的多数载流子)浓度大于P区的电子浓度，部分电子将扩散到P区。同理，P区的部分空穴也将扩散到N区。这样，发射结上将形成一个空间电荷区(也成为耗尽层)，产生一个内在的电场，其方向由N区指向P区，这个电场将阻碍上述扩散过程的进一步发生，从而达成动态平衡。这时，如果把一个正向电压施加在发射结上，上述载流子扩散运动和耗尽层中内在电场之间的动态平衡将被打破，这样会使热激发电子注入基极区域。在NPN型晶体管里，基区为P型掺杂，这里空穴为多数掺杂物质，因此在这区域电子被称为“少数载流子”。
从发射极被注入到基极区域的电子，一方面与这里的多数载流子空穴发生复合，另一方面，由于基极区域掺杂程度低、物理尺寸薄，并且集电结处于反向偏置状态，大部分电子将通过漂移运动抵达集电极区域，形成集电极 (责任编辑：admin) |