特瑞仕开始提供功率半导体SiC肖特基势垒二极管
时间:2023-09-04 11:35 来源:未知 作者:admin 点击:次
特瑞仕半导体株式会社(日本东京都中央区 董事总经理:芝宫 孝司 以下简称“特瑞仕”)已经开始提供使用了SiC的850V/10A 肖特基势垒二极管、 XBSC11A108CS 的样品。该产品作为功率半导体产品新产品,有助于空调以及电动汽车充电的电源系统的低功率化和小型化。 特瑞仕半导体是专注于电源IC的模拟CMOS专业集团,Phenitec Semiconductor是特瑞仕半导体的子公司,此产品是由Phenitec Semiconductor开发的SiC SBD芯片搭载于多功能TO-220AC封装投放市场。 此产品在目标在2023年实现量产,以该产品为起点,计划逐步开发650V~1200V的产品阵容。 图 1. SiC-SBD TO-220AC「XBSC11A108CS」 製品名封装VRM(V)IF(AV)(A)VF(V)TYPXBSC11A108CSTO-220AC850101.5
编辑:黄飞 (责任编辑:admin) |
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