基于氮化镓器件的集成化技术详解
时间:2023-08-03 09:23 来源:未知 作者:admin 点击:次
通过凹槽切断栅极下方的2DEG，使得器件在零栅压下为关断状态。当正栅压增至大于阈值电压时,将在栅界面处形成电子积累层以作为器件的导电沟道,器件呈导通状态。
编辑：黄飞 (责任编辑：admin) |
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通过凹槽切断栅极下方的2DEG，使得器件在零栅压下为关断状态。当正栅压增至大于阈值电压时,将在栅界面处形成电子积累层以作为器件的导电沟道,器件呈导通状态。
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