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MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

MOS管是电路设计中常用的功率开关器件，是压控型的，有三个电极，分别是：栅极G、源极S、漏极D。接下来详细介绍一下关于MOS管的三个极。

MOS管的三个极

MOS管的三个极分别是：栅极G，源极S，漏极D，要求栅极和源及之间电压大于某一特定值，漏极和源及才能导通。

栅极G：MOS管的栅极G是控制端，名字为gate，在G端加入高低电平即可控制MOS管的开断。对于NMOS而言，要求Vgs>0时，MOS管导通，否则MOS关断;对于PMOS而言，要求Vgs<0时,MOS管导通，否则MOS关断。

源极S：源极，名字为Source，简称S。对NMOS而言，源极S是流出端，对PMOS而言，源极S是流入端。

漏极D：漏极，名字为Drain，简称D。对NMOS而言，漏极D是流入端，对PMOS而言，源极S是流出端。

MOS管的应用电路

MOS管作为功率器件主要以开关状态应用在主回路中，此外还有放大、阻抗变换、振荡等等作用。

MOS管用作反激电源开关管

由MOS管组成的全桥逆变电路

MOS管应用放大电路

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