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MOSFET的阈值、ID-VGS特性及温度特性

继上一篇MOSFET的开关特性之后,本篇介绍MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。

MOSFET的VGS(th):栅极阈值电压

MOSFET的VGS(th):栅极阈值电压是为使MOSFET导通,栅极与源极间必需的电压。也就是说,VGS如果是阈值以上的电压,则MOSFET导通。

可能有人问,这种“MOSFET导通”的状态,到底是“电流ID是多少的状态呢?”。的确,ID随VGS而变化。从VGS(th)的规格值的角度看,只要条件没有确定,就无法保证VGS(th)的值,因此在MOSFET的技术规格中规定了条件。这个表是从N-ch 600V 4A的功率MOSFET:R6004KNX的技术规格中摘录的。

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