低边SiC MOSFET关断时的行为
时间:2023-05-10 11:26 来源:未知 作者:admin 点击:次
通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点 ・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比,SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。 ・要想正确实施SiC MOSFET的栅-源电压的浪涌对策,需要逐一了解电压的行为。 (责任编辑:admin) |
通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点 ・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比,SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。 ・要想正确实施SiC MOSFET的栅-源电压的浪涌对策,需要逐一了解电压的行为。 (责任编辑:admin) |