mos管的米勒效应损耗计算(2)
时间:2017-10-10 20:27 来源:未知 作者:y930712 点击:次
在转换(导通或关断)过程中，栅-源极的总等效电容Ceq为： Igate=I1+I2=(Cgd×(1+Av)+Cgs)×dVgs/dt=Ceq×dVgs/dt （6） 式中(1+Av)这一项被称作米勒效应，它描述了电子器件中输出和输入之间的电容反馈。当栅-漏电压接近于零时，将会产生米勒效应。 Cds分流最厉害的阶段是在放大区。为啥？ 因为这个阶段Vd变化最剧烈。平台恰恰是在这个阶段形成。你可认为：门电流Igate完全被Cds吸走，而没有电流流向Cgs。  注意数据手册中的表示方法 Ciss=Cgs+Cgd Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd |
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