电工问答2026-03-04

四列引脚直插式封装(QUIP)是什么意思 四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出，每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚中心距1.27mm，当插入印刷基板时，插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板 。是 比

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单列存贮器组件(SIMM),单列存贮器组件(SIMM)是什么意思 单列存贮器组件（SIMM），只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插座的组件。标准SIMM有中心距为2.54mm的30电极和中心距为1.27mm的72

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双列存贮器组件(DIMM)是什么意思 DIMM模块是目前最常见的内存模块，它是也可以说是两个SIMM（如图1所示）。它是包括有一个或多个RAM芯片在一个小的集成电路板上，利用这块电路板上的一些引脚可以直接和计算机主

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单列直插式封装(SIP)是什么意思 单列直插式封装（SIP），引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。通常，它们是通孔式的，管脚插入印刷电路板的金属孔内。当装配到印刷基板上时封装呈侧立状。这种形式的一种变化是

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什么是漏极,场效应管的结构原理是什么? 漏极 　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极

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什么是漏极开路（OD）？            对于漏极开路（OD）输出，跟集电极开路输出是十分类似的。将上面的三极管换成场效应管即可。这样集电极就变成了漏极，OC就变成了OD，原理分析是一样的。      另

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漏极开路（OD)原理说解 漏极开路（OD)，它与集电极开路（OC）是一致的，就是把下图的三极管改成CMOS管就是了。

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集电极开路（OC）/漏极开路（OD）输出的结构 A：我们先来说说集电极开路输出的结构。集电极开路输出的结构如图1所示，右边的那个三极管集电极什么都不接，所以叫做集电极开路（左边的三极管为反相之用，使输入为“

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基极是什么意思　　jījí　　[base electrode] 由晶体管基区引出的电极.基极符号为B.　　基极是半导体三极管的电极.一只半导体三极管有三个电极.分别是发射极,基极和集电极.半导体管在工作时要加工作电压.于是就产

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集电极是什么意思 　在三极管中,集电区和基区之间的PN结叫集电极.用符号C表示.也可以表述为,集电极是三极管的供电端.常见输入为+5V,+12等.

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绝缘栅双极晶体管(IGBT),IGBT是什么意思 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS结构双极器件，属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上

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IGBT的结构和工作原理 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、

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结型场效应晶体管是什么? 结型场效应晶体管 利用场效应原理工作的晶体管，简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中的多数载流子的密度或类型。这种晶体管的

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MIS器件,MIS器件是什么意思 以SiO2为栅介质时，叫MOS器件，这是最常使用的器件形式。历史上也出现过以Al2O3为栅介质的MAS器件和以Si3N4为栅介质的MNS器件，以及以SiO2+Si3N4为栅介质的MNOS器件，统称为金属-绝缘栅

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什么是MIS 金属－绝缘体－半导体（简写为 MIS）系统的三层结构如图1所示。如绝缘层采用氧化物,则称为金属-氧化物-半导体(简写为MOS)系统。硅片上生长一层薄氧化膜后再覆盖一层铝，就是 最常见的MOS结构。60年代以来

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什么是化合物半导体集成电路 是将晶体管、二极管等有源元件和电阻器、电容器等无源元件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶（主要是硅单晶）片上。它完成特定的电路或系统功能。这种集成电路与过去将各

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