CBB81(CB221)、CBB92型高压聚丙烯电容器
电子元件2026-03-05
CBB81(CB221)、CBB92型高压聚丙烯电容器 1. CBB81(CBB221)型高压金属化/箔式聚丙烯薄膜电容器CBB81 型(CBB221)型高压金属化/箔式聚丙烯薄膜电容器为内串联无感式结构,用阻燃环氧树脂包封,引脚为单向引出,具有损耗
电子元件2026-03-05
聚四氟乙烯电容器的结构与特点 聚四氟乙烯电容器属有机薄膜电容器类,它是以金属箔为电极,以聚四氟乙烯薄膜为介质,卷绕成形后装入外壳中密封而成的。
电子元件2026-03-05
CBF10型金属箔式聚四氟乙烯薄膜电容器 CBF10型电容器采用聚四氟乙烯薄膜为介质,以金属宿为电极,卷绕后外面包裹聚酯耐热胶带并用环氧树脂灌封,具有体积小、耐高温、温度系数小、绝缘电阻高等特点,适用于直流或交流
电子元件2026-03-05
漆膜电容器的结构与特点漆膜电容器也属于有机薄膜电容器类,它采用金属化聚碳酸醋漆膜卷绕而成,再装入金属外壳中经封装成为密封结构的电容器。漆膜电容器最大的特点是电容量稳定、温度系数及损耗都很小,特别适合电
CQ1型漆膜电容器
电子元件2026-03-05
CQ1型漆膜电容器 CQ1型漆膜电容器的外形结构有两种形式:一种是圆管金属壳结构,轴向引出;另一种是矩形金属壳结构,单向引出,如图4-55 所示。CQ1型漆膜电容器的主要特性参数见表4-89 。
电子元件2026-03-05
复合介质电容器的结构与特点 复合介质电容器一般采用纸膜复合介质,以铝宿为电极卷绕而成,然后放入塑料、监管或金属外壳内封装,而小型复合介质电容器多采用树脂浸涂包封。有的复合介质采用聚酯/聚丙烯材料制成。采
CH111型金属箔式复合膜介质电容器
电子元件2026-03-05
CH111型金属箔式复合膜介质电容器 CH111型金属箔式复合膜介质电容器采用复合膜介质,以铝箔为电极卷绕而成,用环氧树脂浸涂包封,具有电容量稳定、温度系数小的特点,适用于电子设备中要求容量变化小的直流或脉动电路
CH11型箔式复合薄膜电容器
电子元件2026-03-05
CH11型箔式复合薄膜电容器 CH11型箔式复合薄膜电容器具有损耗小、绝缘电阻高、由度系数小、耐湿性及耐溶剂性均优良等特点,适用于各类电子设备、电子仪器和仪表电路。其外形如图4-59 所示,主要特性参数见表4-94和表
CH82型高压密封复式介质电容器
电子元件2026-03-05
CH82型高压密封复式介质电容器 CH82 型高压密封复合介质电容器为金属外壳、陶暨绝缘子全密封结构,外壳根据绝缘子结构和外形的不同分为25 个壳号。该电容器具有耐高压、绝缘电阻高、防潮性和散热性良好的特点,适用于
CH49型储能复合介质电容器
电子元件2026-03-05
CH49型储能复合介质电容器 CH49 型储能复合介质电容器为金属外壳全密封结构,适用于电容器充电后瞬时放电的脉冲电路中。其外形如图4-61 所示,主要特性参数见表4-98 。
电子元件2026-03-05
玻璃釉电容器的结构与特点 玻璃釉电容器的介质是玻璃釉粉加压制成的薄片。因釉粉有不同的配制工艺方法,因而可获得不同性能的介质,也就可以制成不同性能的玻璃釉电容器。玻璃釉电容器具有介质介电系数ε大、体积小、
C13型高介陶瓷玻璃釉电容器
电子元件2026-03-05
C13型高介陶瓷玻璃釉电容器 C13型高介陶瓷玻璃釉电容器的外形如图4-62 所图4-62示,其主要特性参数见表4-99 。
CY4型云母电容器
电子元件2026-03-05
CY4型云母电容器 CY4 型云母电容器为钮扣式电容器,它共有六种结构形式,如图4-64 所示。CY4 型云母电容器具有电性能稳定、损耗小、温度系数小、频率特性和电容量稳定性好等特点,适用于高频和超高频的振荡耦合旁路电
CY11型矩形云母电容器
电子元件2026-03-05
CY11型矩形云母电容器 CY11型矩形云母电容器有四种型号,除CY11-0 型为轴向引线外,其余三个型号为单向引线形式,引线之间的尺寸有46mm ± 0.2mm和36mm ± 0.2mm 两种CY11型矩形云母电容器广泛应用于无线电接收、发送
电子元件2026-03-05
瓷介电容器的结构与特点 瓷介电容器又称陶瓷电容器,它以陶瓷为介质,涂敷金属薄膜(一般为银)经高温烧结而形成电极,再在电极上焊上引出线,外表涂以保护磁漆,或用环氧树脂及酣自主树脂包封,即成为瓷介电容器。
CT1型瓷介电容器
电子元件2026-03-05
CT1型瓷介电容器 CT1型瓷介电容器为圆片形结构、单向引出,适合印刷电路板安装,具有体积小、容量大的特点,适用于旁路、耦合及鉴频电路中,广泛用在仪器仪表及电子设备中。其外形如图4-68。
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