图1A. 非理想电容模型

　　图1B. 非理想电容模型，阻抗特性

　　如果C1为理想电容，则阻抗特性会随着频率的提升而下降（XC = 1/［2π x f x C］）。但是，实际应用中并不存在理想电容。非理想电容模型（图1B）的阻抗在自谐振频率*下陷，然后随着频率开始上升。当频率大于fo时，则电感分量开始增加（XL = 2π x f x L）。如果将电容作为滤波器使用，当接近或高于其自谐振频率时，则此种特性将会令滤波效果变差。但是，如果选择电容将特定的高频分量旁路接地，则此时电容的自谐振特性就可以派上用场了。

　　MAX9750实例分析：33pF电容加在BIAS针脚上，改善了RF抑制能力（平均3.6dB）。

　　控制输入引脚的噪声

　　通常，音频放大器的输入引脚总是RF耦合噪声的源头，所以要确保输入引线的长度小于系统的RF信号波长的1/4。安静的地层同时也会减少耦合到输入引脚的RF噪声。应在IC的各个输入引线周围布满安静的地层。此接地层有助于所选音频放大器的输入引脚与任意高频RF信号的隔离。

　　MAX9750实例分析：将输入引线长度缩短三倍，并在左声道、右声道和PC-beep引脚上铺上地层，将进一步改善了MAX9750 IC的RF抑制能力（图2）。

　　图2. MAX9750C扬声器放大器的RF抑制能力测试结果：噪声基底 = -94.4dBV。

　　注：图2给出了MAX9750 IC的典型RF抑制能力。天线信号强度、电缆长度及扬声器类型等一些外部因素也会影响RF抑制性能。

　　我们也可以采用一些高成本的方法，比如在RF敏感度较高的放大器针脚上增加LC滤波器或在电路板中增加低ESR电容。这些方法效果显著，但成本较高。如果可以确定RF噪声的来源，则无需使用高成本解决方案。

　　总结

　　RF抑制能力较差的音频放大器会影响整个系统设计的完整性。如果能够找到问题的根源所在，则可以采取适当的措施以避免音频RF解调。通常情况下，输入端、输出端、偏置端和电源端的引线应小于系统RF信号波长的1/4。如果需要提高RF抑制能力，可以采用一个小电容将IC引脚直接接地（即使该引脚上已连接了大电容），并在易受影响的放大器引脚附近铺上地层。最后，使大功率RF系统模块远离易受影响的音频放大器引脚。在采取这些措施之后，将消除“讨厌”的音频解调“嗡嗡”声。 (责任编辑：admin)