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宽动态需要采用快速读出的CMOS图像传感器。使用CCD图像传感器，使用者被限制使用连续1/60s或者2倍1/30s奇偶场合成。在宽动态的新技术里，使用者可以采用1/30s图片的长曝光，使用1/30s图片的短曝光，然后把这两张图片实时地进行处理，从而获得一张工业级别的宽动态范围的图像。
以下是图示：
现在也有公司在开发不同的方法获得HDR。其中有一种叫做动态响应像素技术出现了，这种技术着重在图像内部的DR，即给每个像素点都加入了不同的感光度，这种像素点的原理是有一个很大的充电电容。
当图像在高亮的条件下，DCG开关开启，连接到FD结点的物理电容。通过这种方法，FD结点的大容量电容使能LCG模式，即可以擎住大量的信号充电(不至于溢出)。在低照度的条件下,DCG开关关闭，断开连接到FD结点的电容，使能HCG模式，即使用在像素内部的额外的模拟增益。在种情况下，FD电容仅取决于FD的PN结电容和金属互偶电容，此值会远远小于物理电容结构。更少的FD电容结果会提高转换增益，提高感光度并减少读取噪声，以牺牲降低最大的充电擎住电容为代价。 |
