如上图，NMOS管是压控型器件，Vgs电压大于Vth开启电压时，内部沟道在场强的作用下导通，Vgs电压小于Vth开启电压时，内部沟道截止;
Vgs电压越高，内部场强越大，导通程度越高，导通电阻Ron越小,注意，Vgs电压不能超过芯片允许的极限电压;
说明：NMOS管一般作为低端驱动器件，源级S接地。
NMOS管的结构
N沟道增强型MOSFET的结构、简图和符号分别如图a、b和c所示。

在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底(提供大量可以动空穴)上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极(通常是多晶硅)，作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好) 。
NMOS管有三种工作状态，分别为：截止区、可变电阻区以及饱和区(又称恒流区)。
正常工作时，栅极g输入端基本没有电流，漏极d电流一定等于源极s电流，且通过GS电压控制漏极电流，因此被称为电压控制器件。
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