上一期介绍了共源级放大电路的工作原理，本期利用这个理论知识看看如何设计一个共源级放大电路。

本期内容

设计一个实际的共源级放大电路

1、要求

利用图Fig. 1所示的拓扑结构设计一个放大倍数为5，输入阻抗为50kohms，功耗不超过1.5mW的放大器。 晶圆片的参数为：u_n * C_ox = 100 uA/V^2，V_TH = 0.5V，忽略沟道长度变化效应，该放大器的电源VDD=1.5V。

求解过程如下：

这样，一个满足所有要求的共源级放大器就设计好了，包括MOSFET沟道长宽比，R_D、R1、R2的取值。 但是值得注意的是，可能这些数值并不是最优解，而是理论推导的结果，实际电路中具体的值需要根据实际情况做调整，而且为了保证放大器的一致性，还需要考虑该放大器受温度，工艺，输入条件等参数的影响。 如果能做到对这些参数不敏感，那么这个放大器的实用价值就更好。

下一讲将介绍如果通过在MOSFET的源级加一个合适的电阻来使放大器对温度，工艺等参数的影响敏感性减弱。