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UN 最佳响应——同步整流芯片U7710 &U7711 最近几年，功率MOSFET的性能得到了显著提高，而这类器件的价格降低很快。由于MOSFET的开态电阻变得很低，在许多低输出电压应用电路里都利用了同步整流技术。同步整流芯片U7710 &U7711就是一款用于替代Flyback副边肖特基二极管的高性能同步整流开关，内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。 01 同步整流芯片U7710 &U7711 支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构，也支持系统断续工作模式(DCM) 和准谐振工作模式(QR)。芯片集成有VDD 欠压保护功能和VDD电压钳位。芯片内置VDD 高压供电模块，无需VDD辅助绕组供电，减低了系统成本。 在原边MOSFET导通期间，同步整流芯片U7710 &U7711内部7.1V稳压器将从其Drain管脚抽取电流向VDD 供电，以使VDD 电压恒定在7.1V左右。基于高频解耦和供电考虑，推荐选取容量为1uF的陶瓷电容作为VDD电容。 02 系统开机以后，同步整流芯片U7710 &U7711内部高压LDO从Drain管脚抽取电流向VDD电容供电。当VDD电压低于欠压保护阈值后（3.1V 典型值），芯片进入睡眠模式，同时内部同步整流MOSFET进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流MOSFET的体二极管实现续流。当VDD电压高于VDD开启电压后（4V典型值），芯片开始工作。芯片内部同步整流MOSFET只在副边续流期间才能开通。 在内部同步整流 MOSFET 开通瞬间，同步整流芯片U7710 &U7711漏-源(Drain-Source)之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作，芯片内部集成有前沿消隐电路(LEB)。在LEB时间（约1us）内，关断比较器被屏蔽，无法关断内部同步整流MOSFET，直至消隐时间结束。 |