再举个例子，就是混合MESH网络，与MESH光落比较，激光器和光电转换减少75%，时延减40%，功耗减42%。电控光传。与E-Noc相比，性能提高到3.1倍，能耗减少92%，时延减少52%。还有一个设计一个片上片下网络这么一个光网络统一的设计，所以片上光网络不仅自己简单设计，还有一个片下光网络联合设计，更低降低它的能耗。

　　片上光网络对光子器件的基本要求，最基本一点他希望跟西门子工艺兼容性好，立足于SI材料和硅基IV族材料。还有光子器件必须要微纳化，光子器件不能占据太大面积，尺寸与光子学器件尺寸基本匹配。举个例子，看相关的重要器件，一个是光发射，一个是接收，一个传输，发射器现在来讲硅基情况下实现，大家说能不能做片下的东西，但是我们观点认为可能以后芯片片上激光和片下激光相结合，所以我们可能这两者方式去要。传输我们想包括一些网络波导网络，复用。

　　硅基高效发光器件，我们做的归纳就是动量守恒制约，辐射跃迁需绳子参与，多体过程，辐射跃迁几率低。载流子区域。Ge是否可以实现激光，有可能。应变提高的GE发光效率，无应变GE的能带结构，张应变为1.8%时GE的能带结构。所以我们还想其他方式，比如我们这里面掺杂，应变加掺杂。我们还有GESN合金，准直接带，提高发光效率，6%的时候就可以实现直接带。基于GE的IV组材料发光器件历程，从07到2012年电泵激光的实现。现在目前规格试图材料还没有实现，比较好的。

　　比利时做是微盘激光器，可以发射不同的光的波长。硅基高速光调制器，基于载流子等离子色散效应，相位芯，MZI等等。基于等离子色散效应的硅基光调制器，电学结构，也有光学结构，FP腔，微环谐振腔。还有一个就是GE量子井的量子限制STark效应。SIGE量子井STARK效应。还有这个F-K效应GESI光调制器，可以实现吸收波长的鸿仪。

　　不同结构硅基电光调脂得气比较，MZI型，尺寸大，功耗高，继承性比较差，性能最好。微环型，尺寸小，温度和工艺敏感性大，要控温。EA型，尺寸小，速度快，功耗低，适合集成。但是有一部分他现在正成熟期。

　　主要目的就是级低电容高速高响应PD是方向和难点，这个是以后发展方向。光路由器，够出一个无组塞4×4光路由器。主要基于微环结构，热光效应，功耗较大，速度较慢。这样方式速度慢，基本应用主要是一个信号调控，一个路由而已。以后光电效应也是可以实现的。 (责任编辑：admin)