氮化镓 （氮化镓）是一种 半导体 材料，是一种用于制造 光电 子器件的高性能晶体。它的优点是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系统。与硅基解决方案相比，GaN 晶体管...

一个 MOSFET 管的动态响应只取决于它充(放)电这个器件的本身寄生 电容 和由互连线及负载引起的额外电容所需要的时间。 本征电容的主要来源有三个：基本的MOS结构、沟道电荷以及漏和...

在交流 电源 输入端，一般需要增加三个 电容 来抑制EMI 传导干扰。交流电源的输入一般可分为三根线：火线（L）/零线（N）/地线（G）。 1、在火线和地线之间及在零线和地线之间并接...

Kevin Hoskins LTC®1286 / LTC1298 是串行接口、微功率 12 位 模数转换器 。在 12位 ADC 领域 它们带来了新的低功耗 耗散和 SO-8 封装的小尺寸 低成本、电池供电的 电子 产品。这些 微功率器件仅...

速度饱和 短沟器件的特性与前一节分析的电阻工作区和饱和区的模型有所不同，主要原因是速度饱和效应。 载流子的速度正比于电场，迁移率是一个常数，当沟道电场达到某一临界值...

目前 MOSFET 仍是 数字集成 电路广泛使用的器件，根据MOS管的静态模型，以NMOS为例，分析其 电流 电压特性。 器件部分涉及到很多 半导体 物理、器件物理相关知识，暂不深入探究，MO...

今天来说一说运放的偏置 电流 和失调电流，我们还是带着问题看，先想想下面几个问题： 1、为什么不同运放的偏置电流差这么多？原因是什么？ 2、运放输入端偏置电流方向是什么样...

Todd Owen 工业 、汽车和电信应用由于恶劣的工作环境和已经很高（12V至48V） 电源 轨上的大电压瞬变，带来了严峻的设计挑战。一些 开关电源 足够坚固，可以从 高压 输入轨提供局部低...

阈值变化 由 阈值电压 的公式可看出，阈值电压与制造工艺和所加体偏电压VSB有关，所以在设计中把它当成一个常数。 当器件尺寸不断缩小时，此模型不再精确，阈值电压与L、W和VDS有...

Mark Thoren LTC2450是一款采用2mm x 2mm DFN封装的16位、单端输入、ΔΣ ADC ,不过，千万不要因为这款器件外形尺寸小和成本低就小瞧它。LTC2450拥有引人注目的 DC 规格，包括2LSB INL、2LSB偏移和一...