电工基础知识

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  • 浅谈各种SiC IGBT器件的制作过程与相关性能 日期:2023-05-26 11:28:18 点击:103 好评:0

    碳化硅 (SiC) 宽禁带 半导体 材料是目前 电力电子 领域发展最快的半导体材料之一。绝缘栅双极 晶体管 ( IGBT ) 是全控型的复合器件,具有工作频率高、开关损耗低、 电流 密度大...

  • 关于计算机模拟技术及其应用 日期:2023-05-24 11:26:40 点击:53 好评:0

    关于计算机 模拟技术 及其应用 计算机技术发展,计算机 模拟 技术作为一种高效安全的方法得到了深远的发展。下面是YJBYS小编为大家搜索整理的关于计算机模拟技术及其应用,欢迎参...

  • 氮化镓中铬含量的二次离子质谱分析方法研究 日期:2023-05-24 11:26:40 点击:41 好评:0

    氮化镓 材料禁带宽度较大,是宽禁带 半导体 之一,被广泛用作 微波 功率晶体管和蓝色光发光器件的生产制造原材料。氮化镓材料的探究与使用是目前全世界半导体领域的创新和重点...

  • 什么是IGBT? 日期:2023-05-24 11:26:40 点击:131 好评:0

    什么是 IGBT ? 本文的关键要点 ・IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的缩写,中文名称是“绝缘栅双极 晶体管 ”。 ・IGBT是通过结合 MOSFET 和双极晶体管,同时具备了这两种器件优点的功...

  • 去耦电路中干扰的耦合方式介绍 日期:2023-05-24 11:26:37 点击:73 好评:0

    耦合 指 信号 由第一级向第二级传递的过程,一般不加注明时往往是指交流耦合。 退耦是指对 电源 采取进一步的滤波措施,去除两级间信号通过电源互相干扰的影响。耦合常数是指耦...

  • 一种阳极连接P型埋层的AlGaN/GaN肖特基二极管 日期:2023-05-24 11:26:37 点击:67 好评:0

    最近,AlGaN/GaN肖特基 二极管 (SBD)受到了越来越多的关注。该器件具有关断速度快、击穿电压高导通电阻小等特点,因而被业界广泛地认为是下一代功率器件的候选者。但是,目前对...

  • 绝缘栅HEMT器件界面固定电荷分析 日期:2023-05-24 11:26:37 点击:52 好评:0

    绝缘栅HEMT器件中除了存在界面态外,栅绝缘层还会在界面引入固定电荷和体电荷,研究表明栅绝缘层与氮化物势垒层之间界面固定电荷密度可以高达1013cm-2量级。这些固定电荷不具有充...

  • 碳化硅MOSFET概述、特性及应用 日期:2023-05-23 11:26:55 点击:68 好评:0

    碳化硅 MOSFET 是什么? 在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高...

  • 如何判断电压反馈与电流反馈 日期:2023-05-23 11:26:54 点击:255 好评:0

    一、反馈的基本概念 1.1 什么是反馈? 反馈,就是把放大电路的输出量的一部分或全部,通过反馈 网络 以一定的方式又引回到放大电路的输入回路中去,以影响电路的输入 信号 作用的...

  • 肖特基二极管的结构原理及作用 日期:2023-05-23 11:26:54 点击:50 好评:0

    肖特基 二极管 的结构原理 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型 半导体 B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半...

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