本章主要内容为：

1.介绍两种主要类型场效应晶体管;

2.熟悉并了解JFET与MOSFET的特性曲线;

3.学会基础题型的解法。

1场效应管

场效应晶体管主要分为结型场效应管(JFET)和金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)。从导电载流子的带电极性来看，分为N沟道(电子型)和P沟道(空穴型)，按照导电沟道形成机理的不同，又分为增强型(简称E型)和耗尽型(简称D型)两种。元件符号如下：

上图为结型场效应管(JFET)，(a)为N沟道JFET，(b)为P沟道JFET，大家记住箭头指向内部就为N型，向外为P沟道型。简单说一下，箭头的方向表示栅极pn结正偏时的电流方向，JFET只有耗尽型。

上图为耗尽型MOSFET符号。

上图为增强型MOSFET。

2转移特性曲线

结型场效应管的转移特性曲线和输出特性曲线如下图:

转移特性表明了输出电流ID 与输入电压VGS ，漏极电流的方向表示为从漏极流向源极，注意各值的符号与方向。

耗尽型N沟道MOSFET的转移特性曲线和输出特性曲线如下图, 当 VGS = 0V, ID = IDSS 当 VGS < 0V, ID <
IDSS :

耗尽型P沟道MOSFET的转移特性曲线和输出特性曲线如下图,当 VGS = 0V, ID = IDSS 当 VGS >0V, ID <
IDSS:

增强型N沟道MOS管的转移特性曲线如下图，为了形成N沟道必须保持VGS 为正。VT (or VGS(Th) )称为开启电压 ，当 VGS 增加时,
ID 增加：

增强型P沟道MOS管的转移特性曲线如下图， 除了电压的极性与电流的方向相反外，P沟道增强型MOS管与N沟道MOS管是相同的：

在观察各类型FET转移特性曲线时，需要注意各个量的幅值与方向。

3重点公式

对于场效应管，我们首先记住下面公式：

对于所有场效应管:

对于结型和耗尽型MOSFET：

对于增强型MOSFET:

这里的k为电导常数，可通过数据手册查找，也有计算方法，可在下方视频观看哦。

场效应管FET与双极型晶体管BJT差别：

• 输入(VGS)输出(ID)非线性

• FET是电压控制型器件 ，而BJT是电流控制型器件

• FET输入阻抗高

• FET温度稳定性好

在FET的考题中，主要也是通过直流分析和交流分析，交流分析通常运用小信号模型分析法来解题，方法依旧很简单，可以与上一堂课中BJT的分析作类比。文字里就不赘述啦。