电子元件2026-03-12

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电子元件2026-03-09

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支

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电子元件2026-03-09

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出一系列高效耐用的车规级碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分别为30、40和60 mΩ。这些器件(NSF030120D7A0-Q/NSF040120D7A1-Q/NSF060120D7A0

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电子元件2026-03-09

交通应用中电气化的趋势导致了高功率密度电力电子转换器的快速发展。高开关频率和高温操作是实现这一目标的两个关键因素。然而，这两项要求都挑战了硅（Si）基器件的基本极限。新兴的宽带隙碳化硅（SiC）功率器件

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电子元件2026-03-09

新型电子研发组件在不断发展，也随之而来的是取得的成果。公司不断尝试开发越来越多的性能设备，特点是更高的效率和更好的电气特性。碳化硅（SiC）技术具有明显的优势，主要与其电气有关电阻。使用这项技术，可以

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电子元件2026-03-09

SA111 SA111采用碳化硅（SiC）技术和领先的封装设计，突破了模拟模块的热效率和功率密度的上限。

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电子元件2026-03-09

随着新能源汽车市场的蓬勃发展，新能源汽车的概念已经度过了市场教育期。消费者对电车的安全、性能已经有了充分的了解，但“里程焦虑”仍旧是一个硬伤。虽然充电桩在大城市密度已经有所提高，对于要出远门的人来说

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电子元件2026-03-09

前言 在电动汽车的逆变器中采用碳化硅 (SiC) 的理由非常充分。在取代传统的硅基逆变器时，SiC 解决方案将带来约 5-10% 的效率提升。这意味着更多的电力被输送到电机，而不是浪费在直流-交流电力转换过程中

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电子元件2026-03-07

近日， EEPW 《电子产品世界》值创办30周年之际，颁布了“影响中国电子30年时代之光评选”获奖名单。安世半导体凭碳化硅肖特基二极管Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode斩获了「十大划时代半导体产品奖功率器件

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电子元件2026-03-07

北京工业大学和中国北京大学报道了碳化硅衬底（GaN/SiC）上由氮化镓制成的全垂直结构肖特基势垒二极管（SBD）的性能，通过使用超薄的氮化镓铝（AlGaN）缓冲层而不是更常见的复杂、厚的AlN/AlGaN结构[Yuting Sun et

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