IR2304的典型接线如图2所示,图中vcc为10~25v功率管门极驱动电源,可用ttL或cMos逻辑信号作为输入,因此vcc可用一个典型值为+15v的电源。c2为自举电容,当vt1关断、vt2开通时,vcc经vd、c2、负载、vt2给c2充电,以确保vt2关断、vt1开通时,vt1管的栅极靠c2上足够的储能来驱动,从而实现自举式驱动。若负载阻抗较大,c2经负载降压充电较慢,使得当vt2关断、vt1开通时c2上的电压仍不能充电至自举电压8.2v以上时,输出驱动信号会因欠压被片内逻辑封锁,vt1就无法正常工作。每个周期vt1开关一次,c2就通过开关vt2充电一次。因此,c2的容量选择应考虑如下几点:
(1)c2应为高稳定、低串联电感、高频率特性的优质电容,容量为0.1~1uf。
(2)尽量使自举上电回路不经大阻抗负载,否则应为c2充电提供快速充电通路。
(3)PWM开关频率较高时,c2应选小。当PWM工作频率较低时,若占空比较高,则vt1开通时间较长,vt2开通时间较短,因此c2应选小;若占空比较低,vt1导通脉宽较窄,则vt2导通脉宽较宽,自举电压容易满足。否则,在有限时间内无法达到自举电压,从而造成欠压保护电路工作。因此,c2的选择应综合考虑PWM变化的各种情况,最好在调试时监测ho、vs脚的波形。

IR2304各引脚的功能及推荐工作参数如表2所列。
表1 IR2106/2301/2108/2109/2302/2304特性比较
同类产品 输入逻辑 保护逻辑 死区时间 接地引脚
2106/2301 HIN/LIN 没有 没有 COM
21064 VSS/COM
2108 HIN/LIN 有 内部540ns COM
21084 空 空 可编程0.54~5μs VSS/COM
2109/2302 IN/SD 有 540ns COM
21094 可编程0.54~5μs VSS/COM
2304 HIN/LIN 有 内部100ns COM
表2 IR2304推荐的工作参数
符 号 名 称 最小值 最大值 单位
VIN 高低端逻辑输入(HIN、LIN) COM Vcc V
Vcc 逻辑电源与低端电源电压 10 20
LO 低端驱动输出 COM Vcc
Vs 高端浮偏电源参考电压 注1 600
HO 高端驱动输出电压 Vs VB
VB 高端浮置电源电压 Vs+10 Vs+20
TA 环境温度 -40 125 ℃
注:1:逻辑运行时为COM-5到COM+600V,逻辑状态保持为COM-5V到COM-Vbs
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