电工基础知识

电工基础知识_电工技术-电工最常见电路

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  • 具有杂散磁场补偿的3D霍尔效应位置传感器 日期:2024-01-19 10:16:16 点击:30 好评:0

    CUR4000是为了汽车及 工业 电流 测量应用开发的,比如混合动力车和电动汽车的高电压电池监控系统。灵活的多霍尔阵列支持线性或差分磁场感应无接触和精确的电流感应高达≥2000A。...

  • 通过配合双向DC-DC转换器与蓄电池系统实现智能电 日期:2024-01-19 10:16:13 点击:32 好评:0

    只需1台便可实现充放电(双向)动作,且由于其为绝缘型,因此可实现高效率的电力转换 通过 IC T技术等优化电力供应平衡的 智能电网 实证实验于各地开展,未来将作为新一代电力基础...

  • 阻容降压电路原理全分析、参数计算 日期:2023-11-10 21:01:55 点击:48 好评:0

    所谓阻容降压电路,原理是 电容 在一定的交流 信号 频率下产生的容抗来限制最大工作 电流 。 工程师 们利用电容的这个特性,在一些要求不高的小 产品 中(如 LED 灯泡)会使用阻容...

  • 品牌升级 全新蜕变|芯海科技数字展厅入选“深圳 日期:2023-10-09 11:26:26 点击:37 好评:0

    何以定义“ 芯片 ”? 芯片= 半导体 材料+ 集成电路 设计 是连接数字世界与物质世界的桥梁 毕达哥拉斯:数字是万物本源 万物及规律皆可用数字语言描述 近日, 芯海科技 数字展厅荣...

  • 深度洞察 | 碳化硅如何革新电气化趋势 日期:2023-09-23 11:27:56 点击:31 好评:0

    文章来源:Power Electron ic s News 在相当长的一段时间内,硅一直是世界各地 电力电子 转换器 所用器件的首选 半导体 材料,但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出现带来了一种替代材料,它能减轻对...

  • SiC MOSFET碳化硅芯片的设计和制造 日期:2023-09-23 11:27:50 点击:34 好评:0

    来源:碳化硅芯观察 对于碳化硅 MOSFET (SiC MOSFET)而言,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高...

  • 新品 | 光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模块 日期:2023-09-22 11:28:23 点击:29 好评:0

    新品 光伏用1200V CoolSiC Boost EasyPACK模块 光伏用1200V CoolSiC Boost EasyPACK模块,采用M1H 芯片 ,导通电阻8-17毫欧五个 规格 ,PressFIT压接针和NTC。 产品 型号: DF17MR12W1M1H DF16MR12W1M1H DF14MR12W1M1...

  • 连接SIL环境的开源库 日期:2023-09-20 15:21:08 点击:32 好评:0

    为了避免在后期开发阶段出现代价高昂的问题,目前开发流程在测试方面倾向于左移方法,即提前介入测试。对于ECU的开发,这意味着在SIL环境中使用虚拟原型尽早执行系统级测试是必...

  • 思瑞浦推出高压、高精密、零漂移仪表放大器T 日期:2023-09-20 15:21:05 点击:30 好评:0

    TPA1286内部集成精密 电阻 ,使得器件具备优异的直流精度,兼具高共模抑制能力和低增益误差等优势。 1: 供电 范围支持±2.25V至±18V; 2:在-40℃至+125℃工作温度下失调电压不超过50µ...

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