模拟 数字转换器即A/D转换器，简称 ADC （ Analog to Digital Conver te r），通常是指将模拟 信号 转变为数字信号的 电子 元件，最常用的 模数转换器 是将一个输入电压信号转换为一个输出的...

GaN和SiC属于高带隙的第三代 半导体 材料，与第一代Si和第二代GaAs等前辈相比，它们在特性上具有突出优势。由于大的带隙和高的热导率，GaN器件可以在200°C以上的高温下工作，并且可...

20世纪40年代后，传统的铝硅酸盐材料被选为无机非金属材料，与有机 聚合 物材料和金属材料并列为三大材料之一。无机非金属材料是由一些原始氮化合物和卤素灯泡化学品、金属氧化...

氮化镓 （GaN）是一种宽带隙 半导体 材料，在上世纪90年代已经有了氮化镓的应用，多年来氮化镓已经成为全球半导体研究的热点，被称为第三代半导体，它具有更高的击穿强度、更快...

我们知道三极管是一款 电流 放大器 件。 三极管分为NPN型和PNP型 半导体 ，两者结构 工作原理 基本相同。 三极管的结构图如图所示，三级管内部有两个PN结，分别为集电结和发射结，...

C-V测试是研究绝缘栅HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley 4200 半导体 表征系统的CVU模块测量了肖特基栅和绝缘栅异质结构的C-V特性。 1. C-V曲线及载流子浓度分布 图1给出了肖特基栅、...

1. 器件结构与工艺 通过AlN栅介质层MIS-HEMT和Al2O3栅介质层MOS-HEMT器件对比研究发现，PEALD沉积AlN栅绝缘层可以大幅改善绝缘栅器件的界面和沟道输运特性；但是由于材料属性和生长工艺的...

今天给大家分享的是精密整流电路。 主要是以下几个方面：1、精密整流电路，2、精密整流 电路分析  3、精密整流 电路原理 ，4、精密整流电路电路公式构建，5、精密整流电路测试；...

1. 栅漏电分析 关态漏电是制约HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用绝缘栅HEMT器件结构可以有效减小器件关态漏电。图1给出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三种器件结构的关态栅漏电曲线，...

由于同质外延结构带来的晶格匹配和热匹配，自支撑 氮化镓 衬底在提升氮化镓基器件性能方面有着巨大潜力，如发光 二极管 ，激光二极管，功率器件和 射频 器件等。相比异质衬底外...