当涉及到持续几毫秒的中压高能脉冲时，选择合适的TVS 二极管 至关重要。您是否为系统将面临的典型浪涌事件提供适当的保护？ 信号 线和接口设计有特定的电压范围容差，系统在该范...

氮化镓 极其稳定的化合物，坚硬和高熔点材料，熔点为 1700℃。具有高的电离度，出色的击穿能力、更高的 电子 密度和电子速度以及更高的工作温度，且具有低导通损耗、高 电流 密度...

ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒 二极管 ）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容，并推动在...

ROHM推出内置耐压高达80V的 MOSFET 的 DC/DC 转换器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐压是内置功率晶体管的非隔离型 DC /DC转换器IC的业界最高水平，在ROHM的DC/DC转换器产品阵容中也是最高耐压的机型...

第三代 半导体 器件 CaN 高 电子 迁移率 晶体管 （HEMT）具备较高的功率密度，同时具有较强的自热效应，在大功率工作条件下会产生较高的结温。根据半导体器件可靠性理论，器件的工...

MOSFET 的失效机理本文的关键要点 ・SOA是“S afe ty Opera ti on Area”的缩写，意为“安全工作区”。 ・需要在SOA范围内使用MOSFET等产品。 ・有五个SOA的制约要素，不满足其中任何一个要素...

MOSFET 的失效机理本文的关键要点 ・当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。 ・发生雪崩击穿时，会流过大电流，存在MOSFET失效的危险。 ・MOSFET雪...

MOSFET 的失效机理 本文的关键要点 ・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生 电容 Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极 晶体管 导通而引起短路从而造成失效的现象。 ・dV/dt是单位时间内...

二极管 的 工作原理 二极管是用 半导体 材料(硅、硒、锗等)制成的一种 电子 器件 。二极管有两个电极，正极，又叫阳极；负极，又叫阴极，给二极管两级间加上正向电压时，二极管导...

通过与Si功率元器件的比较，来表示碳化硅 MOSFET 的耐压范围。目前碳化硅MOSFET有用的范围是耐压600V以上、特别是1kV以上。关于优势，现将1kV以上的产品与当前主流的硅 IGBT 来比较一下...