碳化硅MOSFET芯片取得新突破！
日期：2024-01-19 10:16:16
点击：44
好评：0
近日，岳麓山大科城第二批核心技术攻关“揭榜挂帅”项目——《大功率碳化硅 MOSFET 及SBD 芯片技术 研究》取得重要研发突破， 芯片 综合性能赶上国际先进水平，部分指标实现领先。...
...
一、安全工具应由安全员负责，每月月底对安全工具认真检查一...
声光双控照明灯电路图...
1.什么是磁路基尔霍夫第一，第二定律？它说明什么问题。 答：...
一、职业定义 使用电工工具和仪器仪表，对设备电气部分（含机...
1 真空断路器的发展趋势与存在的问题 真空断路器的优越性不仅...