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MOS管的概念、结构及原理

时间:2023-08-03 09:22来源:未知 作者:admin 点击:
1、什么是MOS管 MOS管也就是常说的 MOSFET 。 MOSFET全称是:Metal Oxide Sem ic onduct or Field Effect Transistor即,金属氧化物 半导体 场效应 晶体管 。 MOS可以分为两种:耗尽型和增强型。 1)耗尽型

1、什么是MOS管

MOS管也就是常说的MOSFET。 MOSFET全称是:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor即,金属氧化物半导体场效应晶体管。 MOS可以分为两种:耗尽型和增强型。

1)耗尽型: Vgs电压为0的时候,导电沟道已经存在,在漏极和源极之间有电压就会有电流流过,当增加Vgs时导通能力增强,当Vgs小于0时导电能力减弱,继续减小逐渐截止,这种MOS管目前用的不是很多。

2)增强型: Vgs=0时,MOS管截止,Vgs逐渐增大,达到一定值后MOS管开始导通,继续增大导通能力增强。 目前市面上基本都是使用这种增强型MOS管。

下面以增强型N沟道场效应管为例,介绍场效应管原理。

2、MOS管结构

如下所示,在P型半导体中嵌入两个N型半导体,N型半导体使用引线引出,这两个就是源极和漏极,和衬底相连的是源极,另外一个是漏极。 然后覆盖一层二氧化硅绝缘层,绝缘层上覆盖金属板,金属板使用引线引出,这就是栅极。 栅极被绝缘层隔离,因此MOS管的栅极电流很小,输入阻抗很大。

P型半导体富含空穴,N型半导体富含电子,两种半导体在接触面上形成空间电荷区(耗尽区),如下图棕色区域。

从下图可以看出,衬底和源极相连后,源极和漏极之间形成一个PN结,这就是MOS内部的体二极管

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3、MOS管沟道形成

当我们给栅极和源极之间施加电压时,因为源极和衬底相连,所以栅极和衬底之间电压就是Vgs,因此在绝缘层上下形成电场,栅极吸引衬底(P型半导体)内部的电子向上移动,聚集在绝缘层的下方,形成导电沟道,当增大Vgs电压时,电场强度增强,聚集在绝缘层下方的电子增多,导电沟道加深,导电能力增强。

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4、漏源电流形成

源极和漏极之间形成导电沟道之后,在漏极和源极之间施加电压Vds,沟道中的电子开始流动形成电流。 当我们维持Vgs不变,逐渐增加漏极电压,也就是Vds,漏极电流逐渐增大,呈线性关系。

注意看下图中的沟道左深右浅,这是由于漏极电压的缘故削弱了栅极电场,可以这么理解,本来电子被栅极吸引建立栅极电场,但是沟道右侧部分电子被漏极正电压吸走,削弱了栅极右侧电场,右侧沟道变浅。 随着漏极电压升高,漏极的空间电荷区变大,进步一衰减了栅极电场,右侧沟道沟道进一步变浅。

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以下是2N7002P的特性曲线,以Vgs=3.5V为例,此时MOS管处于红色区间内,漏极电流随Vds增大而增大。

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5、预夹断

栅极电压不变,继续增大漏极电压,空间电荷区进一步增大,漏极电压不断地削弱右侧沟道,当右侧沟道刚好“消失”时,出现预夹断,如下图中黑色夹断点。

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以下是2N7002P的特性曲线,以Vgs=3.5V为例,此时MOS管处于红色区间内,漏极电流出现拐点,MOS即将走向饱和。

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6、夹断

栅极电压不变,继续增加漏极电压,夹断点继续左移,空间电荷区进一步增大,此时漏极电流不再随漏极电压升高而升高,MOS饱和了。

注意,出现夹断并不是没有电流了,电子也能够越过夹断点进入空间电荷区,被空间电荷区的电场加速,最后被漏极吸收。

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以下是2N7002P的特性曲线,以Vgs=3.5V为例,此时MOS管处于红色区间内,漏极电流不再随Vds增大而增大,MOS管饱和了。

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