1.电压击穿(过压）

对普通整流二极管来讲，只要应用电路中存在电网波动、同网中的大功率设备开启关断、雷击、开关火花、大容量的感性负载、大容量的容性负载这些情况下，瞬间电压高于二极管反向击穿电压值时，就可能产生电压损伤参数衰减或完全击穿短路开路的情况。 对保护二极管来说，就是电路中存在高于器件保护电压的，造成保护器件连续导通，使保护器件永久损伤不可恢，即可能发生电压损伤参数衰减或完全击穿短路开路的情况。电压击穿失效时间无固定规律，但较大概率发在开关机瞬间。  

2.电流击穿（过流）

应用选型余量不足、应用电路中有其它元件发生短路导致电流突然增大、应用电路中负载异常等情况时，瞬间大电流造成二极管芯片在极短时间内高温碳化或瞬间高温造成芯片炸裂，导致芯片PN结遭到严重破坏，出现短路或开路情况。电流击穿发生较高概率为通电测试过程中或正常使用过程中。

3.温度击穿（过温）

应用选型余量不足、器件设计位置靠近大功率发热元件、应用环境温度过高等情况时，二极管芯片结温超过其电流衰减温度，造成二极管的过电流能力线性下降，而线路中的电流不变时，二极管的芯片结温将迅速增高，达到材料的极限温度后，发生硅基材料熔化和碳化，出现短路或开路情况。温度击穿多发生于老化或用户使用过程中。

4.应力损伤（应力）

由于硅基芯片为高硬度的薄片，抗机械应力能力较弱，在二极管封测中塑封、应用端的切脚、管脚整形折弯、电批锁散热片过程、机械碰撞等过程中，造成二极管芯片受损伤或发生机械裂纹，通电时其各项电性参数衰减或失效。严重损伤多发生在开关机瞬间或通电后较短时间内，轻微损伤后失效的时间无规律，安全隐患较大。

5.过载击穿

应用选型余量问题、多管并联使用的电路中二极管参数一致性问题、负载受外界环境因素发生功率增加等情况，出现二极管过压、过流、过温中一种或多种情况同时发生，二极管在较短时间内发生击穿短路或开路情况。

公 司 简 介

深圳辰达行电子有限公司（简称MDD辰达半导体）是一家专注于半导体功率器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。

公司深耕半导体领域15载，始终坚持以产品技术为驱动，以客户需求为核心，打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵，产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域，服务于全球40多个国家与地区。

公司秉持与时俱进的发展理念，基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力，持续关注前沿技术及应用领域发展趋势，全面推动产品升级迭代，提高功率器件产业化及服务闭环的能力，为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。

展望未来，公司将依托行业洞察的能力，通过品牌与技术双轮驱动，快速实现“成为国际半导体功率器件的一线品牌”的发展愿景，助力中国半导体产业升级。

审核编辑：汤梓红