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导读 NMOS晶体管工作在线性区时，漏源两端的沟道存在阻性连接，以下文字对这种阻性连接进行简单介绍。 NMOS晶体管工作在线性区时的漏源电流表达式为式（1），在该工作区下阻性沟道直接连接漏源两端，沟道中任意位置氧化层两端的电压只要超过阈值电压，就能产生这种阻性连接。
（1） 任意位置氧化层两端的电压在为漏端的电压最小，即
（2） 因此，VGS - VDS > VTH 时，就能产生阻性连接。 对式（1）进行移项并整理，可得
（3） 故导通电阻的表达式为
（4） 或者
（5） 式（4）和式（5）即是NMOS晶体管工作在线性区时的导通电阻。 (责任编辑：admin) |
