氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料，在上世纪90年代已经有了氮化镓的应用，多年来氮化镓已经成为全球半导体研究的热点，被称为第三代半导体，它具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的热导率和更低的导通电阻，因此可以减少损耗，减少热量，提供高效率和节能，使得组件的体积可以更为精简，正因为如此，氮化镓技术的应用正在增加。

　　在新一代电力电子产品的制造过程中，如果使用氮化镓，它的尺寸会比原来的硅材料更小，运行速度更快，效率更高。这可以减少电力电子部件的质量、体积和便携性，并且还可以增加电力电子部件使用寿命，从而降低寿命周期成本。GaN技术的支持允许器件在更高的温度、电压和频率下工作，从而允许电子器件使用更少的能量实现更高的性能。

　　充电器也是GaN技术的一个主要应用方面。氮化镓技术的快速开关优势增加了充电器的开关频率，减少了变压器体积，降低了设备的散热要求，从而显著降低了充电器的体积，使充电器具有更大的输出功率和更多的输出接口，深得消费者的喜爱。与普通充电器不同，由于点烟器接口的尺寸限制，汽车充电器通常无法更大，如果使用传统的电源设备，输出功率很难进一步提高。然而，氮化镓功率器件在汽车充电产品中的应用可以增加输出功率并保持原始体积不变。

　　GaN充电器的优点和缺点：

　　优点：体积小，安全

　　与普通半导体的硅材料相比，氮化镓具有更宽的带隙和良好的导热性，可以匹配更小的变压器和大功率电感器，因此氮化镓充电器具有体积小、效率高和安全的优点。最近的旗舰手机平板电脑为了实现更快的充电速度，充电器功率相对较大，40W50W充电器非常常见。更多的充电功率意味着充电器的尺寸也越来越大，发热严重。

　　通过切换到GaN技术，充电器可以大大减小尺寸并非常便携，而GaN充电器也可以保持高效和低温操作，以获得更好的安全性。

　　缺点：成本高

　　GaN充电器的主要缺点是成本高。氮化镓作为一种新的第三代化合物，其合成环境要求非常高，从制造工艺来看，氮化镓没有液态，不能使用传统的单晶硅直接提拉法来提拉单晶，纯通过气体反应合成，在氨气流超过1000度时加热镓金属半小时形成粉末状氮化镓，因此氮化镓充电器的成本更高，相应的市场上氮化镓充电器价格也高于传统充电器。

　　GaN器件现在常用于GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）中以构建放大器电路。大多数GaN HEMT用于功率放大应用。然而，GaN HEMT和其他晶体管变体也可以用于低噪声和宽带放大器。如今，GaN开关和二极管也变得越来越常见，通常可以用来替代砷化镓（GaAs）、硅（Si）、硅锗（SiGe）或磷化铟（InP）器件。

　　综合NXP和绿联整合

　　审核编辑：郭婷