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一、场效应管分类 1.两类电场效应 场效应管：场效应晶体管 ①PN结耗尽层宽度随反向电压变化的场效应 在PN结施加反向电压，耗尽层会逐渐变宽，通过改变耗尽层宽度来对导电通道进行控制。 ②电容正负电荷吸引力构建导电通道的场效应 当在电容左基板上施加正电荷，P型半导体的自由电子会向左侧运动，随着左侧基板电压增大，自由电子会在P型半导体左侧汇集，当电压增加到一定程度，P型半导体左侧区域会形成反型层(P型半导体的多子时空穴，而这里自由电子较多，所以称为反型层)
2.场效应管分类 ①结型场效应管 通过改变PN结耗尽层宽度随反向电压变化的场效应管 ②增强型MOS管 通过电容正负电荷吸引力构建导电通道的场效应管 栅-源不加电压时，漏-源不存在导电沟道 ③耗尽型MOS管 通过电容正负电荷吸引力构建导电通道的场效应管 栅-源不加电压时，漏-源存在导电沟道
二、结型场效应管结构 1.N沟道结型场效应管结构 ①在同一块N型半导体上，制作两个高掺杂的P区，并连在一起，所引出的电极称为栅极s ②N型半导体的两端分别引出两个电极，一个称为漏极d，一个称为源极s ③P区与N区的交界面形成耗尽层(不导电) ④漏-源之间的非耗尽层区域称为导电沟道(导电)
2.晶体管与场效应管的区别 晶体管：电流要经过P区和N区，穿过PN结 场效应管：电流只流过N区，不穿过PN结 3.结型场效应管分类 通过箭头指向判断时哪种结型场效应管 箭头指向的为N沟道结型场效应管
三、结型场效应管工作原理 1.Ugs对导电沟道的控制(Uds=0) ①当Ugs=0时 耗尽层窄，导电沟道宽 ②当Ugs＞0时 PN结正偏，耗尽层变窄， 导电沟道变宽(但是影响小，因为本就导电沟道就很宽)
（3）UGS（关闭） PN结反偏，耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大 （4）Ugs=Ugs（关闭）<0 耗尽层闭合，导电沟道消失，沟道电阻无穷大
⑤总结 Ugs>Ugs（off） Ugd>Ugs（关闭） 当Ugd＝Ugs(off)时，称为预夹断
2.漏-源电压Uds对漏极电流id的影响 （1）Ugs>Ugs（off），Uds=0 因为Ugd=Ugs-Uds ugd=ugs 但是因为Uds=0，所以id=0
②Ugs＞Ugs(off),Uds逐渐增大 因为Ugd=Ugs-Uds Ugd＜Ugs 所以漏极导电沟道会变窄， Ugs不变，沟道电阻不变
（3）Ugs>Ugs（off），Uds=Ugs-Ugs（off） 因为Ugd=Ugs-Uds Ugd=Ugs（off） 漏极导电沟道开始出现夹断
（4）Ugs>Ugs（关闭），Uds>Ugs-Ugs（关闭） 因为Ugd=Ugs-Uds Ugd＜Ugs(off)
⑤总结 Uds增大，d-s电场增大，id增大； Uds增大，夹断区边长，d-s电阻便把，id减小； 漏极电流id仅仅取决于Ugs，而与Uds无关，表现出恒流特性
3.总结 两断截止，两通阻，一通一断时恒流
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