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SiC MOSFET和SiC IGBT的区别

时间:2023-05-21 11:26来源:未知 作者:admin 点击:
在SiC MOSFET 的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。 虽然

在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。

虽然SiC MOSFET比传统的Si MOSFET有很多优点,但其昂贵的价格却限制了SiC MOSFET的广泛应用。近年来随着SiC技术的成熟,SiC MOSFET的价格已经有了显著的下降,应用范围也进一步扩展,在不久的将来必将成为新一代主流的低损耗功率器件。

SiC MOSFET和SiC IGBT的区别

SiC MOSFET比导通电阻与击穿电压的平方呈正比。随阻断电压增大,特别是超过10kV的高压应用领域,SiC MOSFET器件导通电阻显著增大,为解决上述问题,研究的目光转向了IGBT器件,详见图1。

SiC MOSFET和SiC IGBT的区别

图2. SiC MOSFET/IGBT结构示意图

SiC IGBT由于电导调制效应,导通电阻显著减小,与SiC MOSFET器件相比具有明显优势。但碳化硅IGBT与碳化硅MOSFET结构上最大的区别为背面多了PN结,结电压为2.6V,限制了其应用在10kV以下领域。在10kV以下,SiC MOSFET具有优势,其导通电阻小于SiC IGBT。而在10kV以上,SiC IGBT具有优势,其导通电阻小于SiC MOSFET。

SiC MOSFET和SiC IGBT的区别

图2. SiC IGBT结构示意图

综合整理自功率半导体之家、百度百科

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