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SiC的物性和特征

时间:2023-05-02 11:26来源:未知 作者:admin 点击:
SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物 半导体 材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型,所以被认

 

功率器件的特征

SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍,因此与Si器件相比,能够以具有更高的杂质浓度和更薄的厚度的漂移层作出600V~数千V的高耐压功率器件。

高耐压功率器件的阻抗主要由该漂移层的阻抗组成,因此采用SiC可以得到单位面积导通电阻非常低的高耐压器件。

理论上,相同耐压的器件,SiC的单位面积的漂移层阻抗可以降低到Si的1/300。

而Si材料中,为了改善伴随高耐压化而引起的导通电阻增大的问题,主要采用如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor : 绝缘栅极双极型晶体管)等少数载流子器件(双极型器件),但是却存在开关损耗大 的问题,其结果是由此产生的发热会限制IGBT的高频驱动。

SiC材料却能够以高频器件结构的多数载流子器件(肖特基势垒二极管MOSFET)去实现高耐压,从而同时实现 “高耐压”、“低导通电阻”、“高频” 这三个特性。

另外,带隙较宽,是Si的3倍,因此SiC功率器件即使在高温下也可以稳定工作。

(责任编辑:admin)

SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。

不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型,所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。

SiC中存在各种多型体(结晶多系),它们的物性值也各不相同。

用于功率器件制作,4H-SiC最为合适。

 

PropertiesSi4H-SiCGaAsGaNCrystal StructureDiamondHexagonalZincblendeHexagonalEnergy Gap: EG(eV)1.123.261.433.5Electron Mobility: μN(cm2/VS)140090085001250Hole Mobility: μP(cm2)600100400200Breakdown Field: EB(V/cm)×1060.330.43Thermal Conductivity (W/cm°C)1.54.90.51.3Saturation Drift Velocity: VS(cm/s)×10712.722.7Relative Dielectric Constant: εS11.89.712.89.5p. n ControlThermal Oxide××
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