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低功耗逐次逼近型ADC的特点及应用范围

时间:2023-02-15 11:26来源:未知 作者:admin 点击:
AD 7656/AD7657/AD7658均内置六个16/14/12位、快速、低功耗逐次逼近型 ADC ,并集成到一个封装中,采用iCMOS™工艺(工业级CMOS)设计。iCMOS是一种将高压硅与亚微米CMOS及互补双极性技术相结合

AD7656/AD7657/AD7658均内置六个16/14/12位、快速、低功耗逐次逼近型ADC,并集成到一个封装中,采用iCMOS™工艺(工业级CMOS)设计。iCMOS是一种将高压硅与亚微米CMOS及互补双极性技术相结合的工艺。 通过这种工艺,可开发在33V高压下工作的高性能模拟IC,其体积性能比是以往的高压器件所无法实现的。 与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同,iCMOS元件不但可以输入双极性信号,同时还能提升性能,大幅降低功耗并减小封装尺寸。

三款器件的吞吐速率高达250 kSPS, 并且内置低噪声、宽带宽采样保持放大器,可处理最高12 MHz的输入频率。

转换过程与数据采集利用CONVST信号和内部振荡器进行控制。 三个CONVST引脚允许三对ADC独立地进行同步采样。 AD7656/AD7657/AD7658均具有一个高速并行接口和一个高速串行接口,为器件与微处理器或DSP的接口连接创造了条件。 在串行接口模式下,这些器件都允许多个ADC以菊花链形式连接至单个串行接口。 三款器件均可在±4 × VREF和±2 × VREF范围内支持真双极性输入信号。 此外还内置一个2.5 V片内基准电压源。

  产品特性:

  Ø 6个独立ADC

  Ø 真双极性模拟输入

  Ø 引脚/软件可选范围: ±10 V、±5 V

  Ø 高吞吐速率: 250 kSPS

  Ø iCMOS 工艺技术

  Ø 低功耗

  140 mW(250 kSPS,5 V电源

  Ø 宽输入带宽:86.5 dB SNR(50 kHz输入频率)

  Ø 片内基准电压源及缓冲器

  Ø 并行、串行和菊花链接口模式

  Ø 高速串行接口:SPI®/QSPI™/MICROWIRE™/DSP兼容

  Ø 待机模式: 100 μW(最大值)

  Ø 64引脚LQFP

产品特色:

Ø 片上集成6个16/14/12-bit 250 kSPS ADC。

Ø 6个真双极性、高阻抗模拟输入。

Ø 并行和高速串行接口。

应用:

Ø 电源线路监控系统

Ø 仪表和控制系统

Ø 多轴定位系统

责任编辑:gt

(责任编辑:admin)
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